STB150N3LH6 دیتاشیت

STB150N3LH6

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت STB150N3LH6
حجم فایل 1021.789 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 15

مشاهده دیتاشیت STB150N3LH6

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: STMicroelectronics
  • Series: DeepGATE™, STripFET™ VI
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Obsolete
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 40A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
  • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Part Number: STB150N
  • detail: N-Channel 30V 80A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)

محصولات مشابه